GaP\磷化镓晶体

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技术参数

晶体结构：立方 a =5.4505 Å生长方法:提拉法密度:4.13 g/cm3熔点:1480 ℃热膨胀系数：5.3 x10-6掺杂物质：掺S ；不掺杂热传导率：2~8 x1017/cm3 ；4~ 6 x1016/cm3电阻率W.cm：~0.03 ；~0.3EPD (cm-2 )： < 3x10E5 ；< 3x10E5

常规尺寸

常规晶向：<111>；常规尺寸：10x10x0.5mm、dia2"x0.5mm；抛光情况：单抛或双抛;

注：可按客户需求定制相应的方向和尺寸。

备注

1000级超净室100级超净袋